Objectif: Mesurer les caractéristiques d’un transistor à effet de champ
Un transistor à effet de champ (FET) est un composant semi-conducteur dans lequel le courant électrique traversant un canal est commandé par un champ électrique perpendiculaire au flux électrique. Le FET possède trois broches : la Source, le Drain et la Grille. Si une tension électrique est appliquée entre la source et le drain, le courant de drain passe entre eux dans le canal. En présence de faibles tensions drain-source, le FET se comporte comme une résistance ohmique, la caractéristique étant linéaire. Au fur et mesure que la tension drain-source augmente, on observe d’abord un engorgement, puis un désengorgement du canal et la caractéristique passe dans une zone de saturation. Avec des tensions de grille différentes de zéro, la valeur de saturation du courant de drain diminue.
![Expérience: Transistor a effet de champ (115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Électronique](/imagelibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_Experience-Transistor-a-effet-de-champ-115-V-5060-Hz.jpg)
![Expérience: Transistor a effet de champ (115 V, 50/60 Hz), 8000675 [UE3080300-115], Électronique](/thumblibrary/UE3080300-115/UE3080300-115_01_1200_1200_Experience-Transistor-a-effet-de-champ-115-V-5060-Hz.jpg)
