Ziel: Untersuchung der Mechanismen der elektrischen Leitung in dotiertem Germanium mit dem Hall-Effekt
Der Hall-Effekt tritt in stromleitenden Materialien auf, die sich in einem Magnetfeld B befinden. Das Vorzeichen der Hall-Spannung wechselt, je nachdem ob der gleiche Strom I durch positive oder negative Ladungsträger getragen wird. Ihr Betrag hängt von der Ladungsträgerdichte ab. Daher bietet der Hall-Effekt ein wichtiges Instrument zur Bestimmung der Mechanismen des Ladungstransportes in dotierten Halbleitern. Im Experiment werden dotierte Germaniumkristalle bei Temperaturen zwischen 300 K und 450 K untersucht, um die durch Dotierung ermöglichte elektrische Leitung und die durch thermische Aktivierung von Elektronen aus dem Valenzband ins Leitungsband ermöglichte Eigenleitung zu unterscheiden.
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Artikel-Nr.: 8000727 [UE6020200-115]
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![Experiment: Hall-Effekt in Halbleitern (115 V, 50/60 Hz), Basisausstattung, 8000727 [UE6020200-115], Leitungsphänomene](/imagelibrary/UE6020200-115/UE6020200-115_01_Experiment-Hall-Effekt-in-Halbleitern-115-V-5060-Hz-Basisausstattung.jpg)
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