Objetivo: Medição das curvas características de um transístor de efeito de campo
O transístor de efeito de campo (FET) é um componente semicondutor em que a corrente elétrica que flui por um canal é comandada por um campo elétrico perpendicular ao fluxo da corrente. O FET tem três conectores, chamados de Source, Drain e Gate, que funcionam como fonte, dreno e porta. Se uma tensão elétrica é aplicada entre Source e Drain, então a corrente Drain flui no canal entre eles. Para tensões Drain-Source pequenas, o FET se comporta como uma resistência ôhmica e a curva característica transcorre correspondentemente linearmente. Com o aumento da tensão Drain-Source, inicialmente ocorre uma constrição e finalmente, ao fechamento do canal e a curva característica passa para um âmbito de saturação. Para tensões Gate diferentes de zero, o valor de saturação de corrente Drain diminui.
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