Objectif: Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall
L’effet Hall intervient dans des matériaux conducteurs se trouvant dans un champ magnétique B. Le signe de la tension de Hall change selon que le même courant I est porté par des porteurs de charge positifs ou négatifs. Leur valeur dépend de la densité des porteurs. C’est pourquoi l’effet Hall constitue un instrument important pour déterminer les mécanismes du transport de charge dans les semiconducteurs dopés. Au cours de l’expérience, nous étudions des cristaux de germanium dopés à des températures variant entre 300 et 450 K, afin de distinguer la conduction électrique rendue possible par le dopage et la propre conduction rendue possible par l’activation thermique d’électrons de la bande de valence dans la bande de conduction.
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![Expérience: Effet Hall dans les semi-conducteurs (230 V, 50/60 Hz), Equipment de base, 8000728 [UE6020200-230], Phénomènes de conduction](/thumblibrary/UE6020200-230/UE6020200-230_01_1200_1200_Experience-Effet-Hall-dans-les-semi-conducteurs-230-V-5060-Hz-Equipment-de-base.jpg)
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(230 V, 50/60 Hz), 1003312 [U33020-230], Alimentations électriques](/thumblibrary/U33020-230/U33020-230_01_140_140_Alimentation-CC-0-20-V-0-5-A-230-V-5060-Hz.jpg)
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(230 V, 50/60 Hz), 8000714 [UE5020400-230], Couche électronique](/thumblibrary/UE5020400-230/UE5020400-230_01_140_140_Experience-Experience-de-Franck-et-Hertz-sur-le-neon-230-V-5060-Hz.jpg)