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Expérience: Effet Hall dans les semi-conducteurs (230 V, 50/60 Hz), Equipment de base

Expérience: Effet Hall dans les semi-conducteurs (230 V, 50/60 Hz), Equipment de base, 8000728 [UE6020200-230], Phénomènes de conduction
4 825,56 TTC
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Objectif: Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall

L’effet Hall intervient dans des matériaux conducteurs se trouvant dans un champ magnétique B. Le signe de la tension de Hall change selon que le même courant I est porté par des porteurs de charge positifs ou négatifs. Leur valeur dépend de la densité des porteurs. C’est pourquoi l’effet Hall constitue un instrument important pour déterminer les mécanismes du transport de charge dans les semiconducteurs dopés. Au cours de l’expérience, nous étudions des cristaux de germanium dopés à des températures variant entre 300 et 450 K, afin de distinguer la conduction électrique rendue possible par le dopage et la propre conduction rendue possible par l’activation thermique d’électrons de la bande de valence dans la bande de conduction.

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Composants

Appareil de base à effet Hall, 1009934 [U8487000], Effet Hall

Appareil de base à effet Hall

1009934 [U8487000]
Prix unitaire
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Ge dopé n sur plaque à circuit imprimé

1009760 [U8487030]
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Ge dopé p sur plaque à circuit imprimé

1009810 [U8487020]
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Capteur de champ magnêtique FW ± 2000 mT

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Paire de cosses et étrier élastique D pour effet Hall

1009935 [U8497205]
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Alimentation CC 0 – 20 V, 0 – 5 A
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1003312 [U33020-230]
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1002843 [U138021]
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Réf. Article: 8000728 [UE6020200-230]
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