Expérience: Transistor a effet de champ (230 V, 50/60 Hz)

Expérience: Transistor a effet de champ (230 V, 50/60 Hz), 8000676 [UE3080300-230], Électronique
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Objectif: Mesurer les caractéristiques d’un transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (FET) est un composant semi-conducteur dans lequel le courant électrique traversant un canal est commandé par un champ électrique perpendiculaire au flux électrique. Le FET possède trois broches : la Source, le Drain et la Grille. Si une tension électrique est appliquée entre la source et le drain, le courant de drain passe entre eux dans le canal. En présence de faibles tensions drain-source, le FET se comporte comme une résistance ohmique, la caractéristique étant linéaire. Au fur et mesure que la tension drain-source augmente, on observe d’abord un engorgement, puis un désengorgement du canal et la caractéristique passe dans une zone de saturation. Avec des tensions de grille différentes de zéro, la valeur de saturation du courant de drain diminue.

Composants

Plaque pour composants, 1012902 [U33250], Système d’éléments enfichables

Plaque pour composants

1012902 [U33250]
Prix unitaire
106,80 €
Jeu de 10 shunts, P2W19, 1012985 [U333093], Système d’éléments enfichables

Jeu de 10 shunts, P2W19

1012985 [U333093]
Prix unitaire
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Rêsistance 1 kOhm, 2 W, P2W19, 1012916 [U333024], Système d’éléments enfichables

Rêsistance 1 kOhm, 2 W, P2W19

1012916 [U333024]
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Rêsistance 470 Ohm, 2 W, P2W19, 1012914 [U333022], Système d’éléments enfichables

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1012914 [U333022]
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Rêsistance 47 kOhm, 0,5 W, P2W19, 1012926 [U333034], Système d’éléments enfichables

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1012926 [U333034]
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1012960 [U333068]
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Transistor FET BF 244, P4W50

1012978 [U333086]
Prix unitaire
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Diode au silicium 1N 4007, P2W19

1012964 [U333072]
Prix unitaire
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Potentiomètre 220 Ohm, 3 W, P4W50

1012934 [U333042]
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1013526 [U8557330]
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1002840 [U13800]
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1021091 [U22500-230]
Prix unitaire
343,20 €
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