Amaç: Katkılı germanyum içerisindeki elektrik iletim mekanizmasının Hall etkisiyle incelenmesi.
Hall etkisi bir manyetik alan B içerisinde bulunan elektrik iletken materyallerin içerisinde meydana gelir. Hall gerilimin işareti aynı akımın I ya pozitif ya da negatif yük taşıyıcılar tarafından meydana getirildiğine bağlı olarak değişir. Bunun değeri yük taşıyıcıların yoğunluğuna bağlıdır. Sonuç olarak Hall etkisi katkılı yarı iletkenlerde yük taşıma mekanizmasının belirlenmesi için oldukça önemlidir. Bu deneyde katkılı germanyum kristalleri 300 K ve 450 K arasındaki sıcaklıklarda katkı sayesindeki elektrik iletkenliği ve elektronların termal aktivasyonları (valans banttan kondüksiyon bandına olan) sayesinde ki saf iletkenlikleri arasındaki farkı netleştirmek için incelenmişlerdir.