Objetivo: Determinação do intervalo de banda do germânio
Semicondutores somente apresentam condutividade elétrica mensurável em temperaturas altas. A razão para esta dependência da temperatura é a estrutura da banda dos níveis de energia eletrônicos com uma banda de valência, uma banda condutora e uma zona intermediária que, com material semicondutor puro, não dopado, não pode ser ocupada por elétrons. Com o aumento da temperatura, cada vez mais elétrons são ativados termicamente da banda de valência para a banda condutora e deixam “buracos” na banda de valência. Os buracos se movimentam sob a influência de um campo elétrico como partículas de carga positiva e também contribuem com a densidade da corrente, assim como os elétrons. Para a determinação da condutividade em germânio puro na experiência, não dopado, uma corrente constante é enviada pelo cristal e a queda correspondente da tensão em dependência da temperatura é medida. Os dados de medição podem ser descritos, com boa aproximação, por uma função exponencial, em que a distância entre as bandas surge como parâmetro.