Objetivo: Análise dos mecanismos da condução elétrica em germânio dopado com o efeito Hall
O efeito Hall surge em materiais condutores de eletricidade que se encontram em um campo magnético B. O sinal da tensão de Hall se alterna conforme o caso se a mesma corrente I é carregada por portadores de carga positivos ou negativos. Seu valor depende da densidade do portador de carga. Por isto, o efeito Hall proporciona um instrumento importante para determinação dos mecanismos do transporte de cargas em semicondutores dopados. Na experiência, cristais dopados de germânio são analisados em temperaturas entre 300 K e 450 K, para diferenciar a condução de eletricidade possibilitada pela dopagem da condução própria possibilitada pela ativação de elétrons da banda de valência para a banda de condução.
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![Experiência: Efeito Hall em Semicondutores (115 V, 50/60 Hz), 8000727 [UE6020200-115], Experimentos Física do Estado Sólido](/imagelibrary/UE6020200-115/UE6020200-115_01_Experiencia-Efeito-Hall-em-Semicondutores-115-V-5060-Hz.jpg)
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